Descrizione sintetica in italiano (massimo 900 caratteri spazio inclusi):
Obiettivo del progetto di ricerca sarà la caratterizzazione ottica e strutturale dei packages dei HEMT GaN per l’identificazione dei failure mode dopo i test di affidabilità. In particolare saranno effettuate misure di fotoluminescenza (PL)a temperatura ambiente e in funzione del tempo per verificare la presenza di eventuali difetti. In particolare saranno utilizzate diverse lunghezze d’onda di eccitazione dall’ UV all’infrarosso ottenendo spettri di emissione del materiale/difetto in essere che permetteranno l’identificazione della natura del difetto. Inoltre, tramite misure Raman sarà caratterizzata la composizione e la struttura del materiale e del difetto in essere che consentiranno di identificare il failure mode della difettosità.
Descrizione sintetica in inglese (massimo 900 caratteri spazio inclusi):
The objective of the research project will be the optical and structural characterization of the GaN HEMT packages for the identification of failure modes after reliability tests. In particular, photo-luminescence (PL) measurements will be carried out at room temperature and as a function of time to verify the presence of the defects. In particular, different excitation wavelengths from UV to infrared will be used, obtaining emission spectra of the material / defects in place allowing the identification of the nature of the defect. Furthermore, by means of Raman measurements the composition and structure of the material and of the defect will be characterized to identify the failure mode of the defect.
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