Università degli Studi di Messina

Obiettivo del progetto di ricerca sarà la caratterizzazione ottica e strutturale dei packages dei HEMT GaN per l’identificazione dei failure mode dopo i test di affidabilità. In particolare saranno effettuate misure di fotoluminescenza (PL)a temperatura ambiente e in funzione del tempo per verificare la presenza di eventuali difetti. In particolare saranno utilizzate diverse lunghezze d’onda di eccitazione dall’ UV all’infrarosso ottenendo spettri di emissione del materiale/difetto in essere che permetteranno l’identificazione della natura del difetto. Inoltre, tramite misure Raman sarà caratterizzata la composizione e la struttura del materiale< e del difetto in essere che consentiranno di identificare il failure mode della difettosità.